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SUD50N04-37P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.20
0.16
0.12
0.0 8
0.04
0
I D = 5 A
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
0.0
I D = 5 mA
I D = 250 μA
8 0
60
- 0.2
40
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
8 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited by r DS(on) *
10
100 μ s
60
40
20
1
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1 ms
10 ms
100 ms
10 s
DC
0
0.01
0 . 0 0 01
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
100
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Case
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 69732
S-80109-Rev. B, 21-Jan-08
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